去层研磨

离子刻蚀机RIE-1C

设定好工艺配方后“一键式”操作

可处理一片4英寸晶片或多枚切片

工艺完成时响铃通知

安全设施以保护操作员和设备

紧凑式设计

小体积可节省空间

离子刻蚀机RIE-1C

产品简介:

RIE-1C是一种紧凑的反应离子刻蚀系统。该系统是洁净室空间有限的实验室的理想解决方案,其设计可优化刻蚀速率、均匀性和选择性,尤其适合去除IC失效分析中的钝化层。

RIE-1C是一种氟基蚀刻系统,也可用于蚀刻硅基薄膜、难熔金属、金属硅化物和旋转玻璃。一旦配方设置完成,按一下按钮就可以开始完整的基板/设备处理。

应用:

1、刻蚀钝化材料如氮化硅、二氧化硅和氧氮化硅。

2、金属间介电层的刻蚀及剖面调整。

3、失效分析用集成电路板上残留封装材料的刻蚀。

4、光刻胶和聚酰亚胺的刻蚀。

5、硅、多晶硅、难熔金属、硅化金属、旋涂玻璃等的刻蚀。

特征:

1、设定好工艺配方后“一键式”操作。

2、可处理一片4英寸晶片或多枚切片。

3、工艺完成时响铃通知。

4、安全设施以保护操作员和设备。

5、紧凑式设计。

6、小体积可节省空间。

主要参数规格:

反应室

石英,Ø212 mm

下电极

铝、Ø120mm、水冷

射频功率

13.56MHz,200W晶体振荡,手动匹配

进气管

2条

压力测量

隔膜表(0~2.66x 102 Pa)

真空系统

干泵(500L/min)

尺寸

主机:400毫米(宽)x 440毫米(深)x 325毫米(高)

支架:400 mm(宽)x 620 mm(深)x 798 mm(高)

 


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