离子刻蚀机RIE-1C
设定好工艺配方后“一键式”操作
可处理一片4英寸晶片或多枚切片
工艺完成时响铃通知
安全设施以保护操作员和设备
紧凑式设计
小体积可节省空间
菜单
去层研磨镶嵌
RIE-1C是一种紧凑的反应离子刻蚀系统。该系统是洁净室空间有限的实验室的理想解决方案，其设计可优化刻蚀速率、均匀性和选择性，尤其适合去除IC失效分析中的钝化层。
RIE-1C是一种氟基蚀刻系统，也可用于蚀刻硅基薄膜、难熔金属、金属硅化物和旋涂玻璃。配方设置完成，按一下按钮就可以开始完整的基板/设备处理。
1、刻蚀钝化材料如氮化硅、二氧化硅和氧氮化硅。
2、金属间介电层的刻蚀及剖面调整。
3、失效分析用集成电路板上残留封装材料的刻蚀。
4、光刻胶和聚酰亚胺的刻蚀。
5、硅、多晶硅、难熔金属、硅化金属、旋涂玻璃等的刻蚀。
1、设定好工艺配方后“一键式”操作。
2、可处理一片4英寸晶片或多枚切片。
3、工艺完成时响铃通知。
4、安全设施以保护操作员和设备。
5、紧凑式设计。
6、小体积可节省空间。
反应室 | 石英，Ø212 mm |
上下电极 | Ø120mm、水冷 |
射频功率 | 13.56MHz，200W晶体振荡，手动匹配 |
进气管 | 2条 |
压力测量 | 隔膜表（0~2.66x 102 Pa） |
真空系统 | 干泵（500L/min） |
尺寸 | 主机：400毫米（宽）x 440毫米（深）x 325毫米（高） |
支架：400 mm（宽）x 620 mm（深）x 798 mm（高） |
Copyright © 2019, 上海仪准电子科技有限公司 沪ICP备16044249号
技术支持：汇成传媒
